Verfahren zum Entfernen von PECVD-Rückständen Fluorierten Plasmas unter Verwendung von in-situ-H¶2¶-Plasma

摘要

Bei einem Verfahren des Bewirkens der Reinigung oder Kammerprozeßsteuerung zum Entfernen von Rückständen von fluorierten Entladungen von internem PECVD-Kammermaterial während der Herstellung eines Halbleiters oder einer integrierten Schaltung die Verbesserung des Entfernens der fluorierten Entladungen ohne Öffnen der Kammer und ohne Bewirken einer Kammerstillstandszeit, umfassend: DOLLAR A a) Maximieren der H-Atomkonzentration in einer Gasmischung eines H¶2¶ enthaltenden Plasmas durch die Verwendung von starker HF-Leistung und einem geringen Druck zum Erhalten eines in situ-H¶2¶-Plasmas und DOLLAR A b) Behandeln einer Reaktorkammer, die Aufbaurückstände von einer vorausgegangenen Kammerbehandlung mit einem fluorierten Plasma enthält, mit dem in situ-H¶2¶-Plasma aus Schritt a) ohne Öffnen der Kammer und ohne Abschalten der Kammer zum Entfernen der Aufbaurückstände des fluorierten Plasmas.