发明名称 一种静汞电极密封结构
摘要 一种静汞电极密封结构,涉及有贮汞池下端面、中空针形棒、下端面刻槽、橡胶垫、毛细管、毛细管座、毛细管座上端面和上端面刻槽组成,贮汞池设置在上面,作为电极的毛细管设置在贮汞池的下面。在电极贮汞池下端面的中心位置,设置中空针形棒。在贮汞池下端面上,环绕中空针形棒设置有密封用下端面刻槽,在贮汞池下端面和毛细管座上端面之间设置有橡胶垫。毛细管座上端面上,设置有上端面刻槽。将贮汞池下端面、橡胶垫和毛细管座上端面三者吻合接触,密封好。相接触的两个平面上设置至少一个贮汞池下端面刻槽和至少一个上端面刻槽,在两个相接触的平面之间设置有覆盖上下刻槽的橡胶垫,实现可靠密封,保证了电化学分析工作正常进行。
申请公布号 CN2553380Y 申请公布日期 2003.05.28
申请号 CN02268447.6 申请日期 2002.07.22
申请人 许一楠 发明人 许一楠;许建民
分类号 G01N27/34 主分类号 G01N27/34
代理机构 代理人
主权项 1、一种静汞电极密封结构,涉及有贮汞池下端面(1)、中空针形棒(2)、下端面刻槽(3)、橡胶垫(4)、毛细管(5)、毛细管座(6)、毛细管座上端面(7)和上端面刻槽(8)组成,贮汞池设置在上面,作为电极的毛细管(5)设置在贮汞池的下面,其特征在于贮汞池下端面(1)与毛细管座上端面(7)之间设置有橡胶垫(4)。
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