发明名称 |
Verfahren zum Ausbilden einer selbstjustierten Antifuse-Verbindung |
摘要 |
Eine Antischmelzsicherung (z. B. 130) wird durch die Verwendung einer Blockmaske (z. B. Fotoresist 120) während der in situ-Ausbildung eines Antifuse-Dielektrikums in einer integrierten Schaltung ausgebildet. Allgemein gestattet die Maske eine selbstjustierte Oxidierung eines oxidierbaren Metalls (z. B. Aluminium 104) zur Ausbildung des Antifuse-Dielektrikums (z. B. Aluminiumoxid 124) unter gleichzeitiger Verhinderung der Oxidierung nichtprogrammierbarer oder fester Verbindungsleitungen (z. B. des leitenden Stapels 128). Relativ zu Verfahren des Stands der Technik kann die Anzahl der Schritte des Maskierens, der Abscheidung oder des Ätzens reduziert werden. Während der Ausbildung der Antifuse-Verbindung und auf der gleichen Höhe wie diese kann außerdem eine feste Verbindungsleitung ausgebildet werden.
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申请公布号 |
DE10240405(A1) |
申请公布日期 |
2003.05.28 |
申请号 |
DE2002140405 |
申请日期 |
2002.09.02 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
TOBBEN, DIRK;BRINTZINGER, AXEL;WEBER, STEFAN |
分类号 |
H01L23/525;(IPC1-7):H01L23/525;H01L21/824;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L23/525 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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