发明名称 |
一种利用等离子体技术的金属抗腐蚀处理方法 |
摘要 |
一种利用等离子体技术的金属抗腐蚀处理方法,包括一个反应室、缠绕轴和牵引轴组成的处理装置,在反应室的上、下部位分别设置阴极和在所述二阴极中间设置有被加工的金属材料为阳极;在反应室里,按流量比为1500ml/min:2100ml/min注入六甲基二硅氧烷((CH<SUB>3</SUB>)3SiOSi(CH<SUB>3</SUB>)3)和氦气的混合气体,反应室内部的压力通过真空泵有效的控制到所设置的真空状态;所述处理装置接通电源,输入1100V-1300V的高压直流电,所述混合气体被击穿,产生等离子体而获得聚合薄膜附着在被加工的金属材料的表面,形成抗腐蚀层。本发明的优点是,用本发明的抗腐蚀处理方法处理的材质的抗腐蚀性得以大大提高。 |
申请公布号 |
CN1420204A |
申请公布日期 |
2003.05.28 |
申请号 |
CN01139904.X |
申请日期 |
2001.11.19 |
申请人 |
乐金电子(天津)电器有限公司 |
发明人 |
吳定根;郑永万;尹东植 |
分类号 |
C23C16/40;C23C16/42;C23C16/513 |
主分类号 |
C23C16/40 |
代理机构 |
天津市才智有限责任专利代理事务所 |
代理人 |
吕志英 |
主权项 |
1、一种利用等离子体技术的金属抗腐蚀处理方法,其特征是包括一个激发反应室(101)、缠绕轴(105)和牵引轴(107)组成的处理装置,在反应室(101)的上、下部位分别设置阴极(102)和(103),在所述二阴极中间设置有被加工的金属材料(104)为阳极;在激发反应室(101)里,按流量比为1500ml/min∶2l00ml/min注入六甲基二硅氧烷((CH3)3SiOSi(CH3)3)和氦气的混合气体,激发反应室(101)内部的压力通过真空泵(113)有效的控制到所设置的真空状态;所述处理装置接通电源(114),输入1100V-1300V的高压直流电,所述混合气体被击穿,产生等离子体而获得聚合薄膜吸附在被加工的金属材料(104)的表面,形成抗腐蚀层。 |
地址 |
300402天津市北辰区兴淀公路 |