非挥发性半导体存储单元结构及其制作方法

摘要

一种非挥发性半导体存储单元结构及其制作方法，提供一基底，于基底中形成一浅第一型阱、一第二型阱以及一深第一型阱。接着在基底上形成堆栈栅。之后再形成源极与漏极。其中，源极的分布深度贯穿浅第一型阱并与第二型阱相连接，而漏极位于浅第一型阱表面处，且源极与漏极皆为第二型掺杂。

主权项

1.一种非挥发性半导体存储单元结构，其特征在于：至少包括：一基底，该基底中具有一浅第一型阱、一第二型阱以及一深第一型阱，其中，该深第一型阱的深度大于该浅第一型阱，而该第二型阱位于该浅第一型阱与该深第一型阱之间；数个堆栈栅，该些堆栈栅配置于该基底中的浅第一型阱上；数个源极与数个漏极，该些源极与该些漏极配置于该些堆栈栅之间，其中，该些源极的分布深度足以贯穿该浅第一型阱并与该第二型阱相连接，而该些漏极分布于接近该浅第一型阱的表面，且该些源极与该些漏极为第二型掺杂。