| 发明名称 | 一种双位元快速存储器结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是提供一种双位元快速存储器结构及其制造方法。该方法是先在一硅基底表面形成一栅极氧化层，然后在该栅极氧化层表面形成一多晶锗化硅层。随后进行一离子布植制程，在该多晶锗化硅层中形成至少一绝缘区域，以分隔该多晶锗化硅层成两个相互不连续的导电区域，形成一双位元结构。接着在该多晶锗化硅层表面形成一介电层，并进行一黄光暨蚀刻制程以蚀刻部分的该介电层以及该多晶锗化硅层，形成该双位元快速存储器的浮动栅极。最后在该浮动栅极上形成一控制栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN1420549A | 申请公布日期 | 2003.05.28 |
| 申请号 | CN01130310.7 | 申请日期 | 2001.11.20 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 张国华 |
| 分类号 | H01L21/8239;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/112 | 主分类号 | H01L21/8239 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 马莹;邵亚丽 |
| 主权项 | 1.一种制造双位元快速存储器的方法，该方法包含有下列步骤：提供一硅基底；在该硅基底表面形成一栅极氧化层；在该栅极氧化层表面形成一多晶锗化硅层；进行一离子布植制程，在该多晶锗化硅层中形成至少一绝缘区域，以分隔该多晶锗化硅层成两个相互不连续的导电区域，形成一双位元结构；在该多晶锗化硅层表面形成一介电层；在该介电层表面形成一图案化的浮动栅极；以及在该浮动栅极上形成一控制栅极。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||