| 发明名称 | 半导体装置的制造方法和半导体装置及其装配方法 | ||
| 摘要 | 具备下述工序：树脂密封工序，用于把已形成的配设有突出电极12的多个半导体器件11的衬底16装设到模具20的空腔28内，接着向突出电极12的配设位置供给树脂35密封突出电极12，形成树脂层13；突出电极露出工序，用于使已被树脂层13覆盖的突出电极12的至少顶端部分从树脂层13中露出来；分离工序，用于使衬底16与树脂层13一起切断分离成各个半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1420538A | 申请公布日期 | 2003.05.28 |
| 申请号 | CN02126232.2 | 申请日期 | 1997.07.10 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 深泽则雄;川原登志实;森冈宗知;大泽满洋;松木浩久;小野寺正德;河西纯一;丸山茂幸;竹中正司;新间康弘;佐久间正夫;铃木义美 |
| 分类号 | H01L21/56;H01L21/60 | 主分类号 | H01L21/56 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置的制造方法，至少具有把其构成为把半导体器件和引线配设到柔性基材之上的布线基板装到模具内，接着向上述半导体器件的配设位置上供给密封树脂对上述半导体器件进行树脂密封的树脂密封工序，和形成突出电极使得与在上述基板上形成的引线电连的突出电极形成工序，其特征是：应用压缩成型法作为对上述半导体器件进行树脂密封的方法。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||