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Um eine Maske herzustellen, wird eine Opferschicht auf einer Halbleiterscheibe aufgebracht, dann die Opferschicht mit Hilfe einer ersten und einer zweiten lithographischen Prozessfolge bearbeitet, um die Opferschicht in eine erste und eine zweite Richtung zu strukturieren, anschließend eine Hartmaskenschicht aufgebracht, um die strukturierte Opferschicht vollständig einzuschließen, und dann die Opferschicht aus der Hartmaskenschicht entfernt.
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