Halbleitervorrichtung und Verfahren für ihre Herstellung

摘要

Eine Aufgabe der Erfindung besteht in der Schaffung einer Halbleitervorrichtung mit einer Kupferverdrahtungsstruktur, in der eine Kupferdiffusions-Schutzfähigkeit eines Siliciumcarbidfilms verbessert werden kann und eine Lebensdauer bis zu dem durch Kupferdiffusion verursachten Durchschlag erhöht werden kann, und außerdem eines Verfahrens zu deren Herstellung. Zwischen einer ersten Kupferverdrahtung (7) und einem zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm (9) mit niedriger Dielektrizitätskonstante ist ein erster Kupferdiffusions-Schutzfilm (8) vorgesehen. Für den ersten Kupferdiffusions-Schutzfilm (8) wird ein Siliciumcarbidfilm, der 30 Atom-% oder mehr Sauerstoffatome oder Sauerstoffatome und Stickstoffatome enthält. Unter Verwendung dieses Siliciumcarbidfilms kann eine Kupferdiffusions-Schutzfunktion verbessert werden und eine Lebensdauer bis zu dem durch Kupferdiffusion verursachten Durchschlag erhöht werden.