发明名称 Test method for ferroelectric memory
摘要 Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Testen bzw. zur Ermittlung einer Charakteristik einer ferroelektrischen Spelcherzelle, welches sich alleine oder mit mehreren Speicherzellen auf einem Chip befindet sowie Chips, welche im oben genannten Verfahren Anwendung finden. Das erfindungsgemäße Verfahren kann zur Überprüfung auf Funktionstüchtigkeit hergestellter Chips mit ferroelektrischen Speicherzellen und zur Prototypenentwicklung eingesetzt werden. Im erfindungsgemäßen Verfahren werden in geschickter Weise Spannungen an die Leitungen des Chips angelegt, so dass der sich daraus ergebende Strom Rückschlüsse auf das Hysterese- und damit Speicherverhalten einer ferroelektrischen Speicherzelle ermöglicht. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht somit einerseits den messtechnischen Zugang zu einer einzelnen Speicherzelle, andererseits kann ferner die Auswirkung der anderen Bauteile der Speicherzelle sowie des Layouts des gesamten Chips auf das Speicherverhalten einer einzelnen Speicherzelle ermittelt werden. <IMAGE> <IMAGE>
申请公布号 EP1315173(A1) 申请公布日期 2003.05.28
申请号 EP20010127016 申请日期 2001.11.14
申请人 AIX ACCT SYSTEMS GMBH 发明人 SCHMITZ THORSTEN;TIEDKE STEPHAN
分类号 G11C29/50;(IPC1-7):G11C29/00 主分类号 G11C29/50
代理机构 代理人
主权项
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