调整半导体反应室真空系统的排气压力的装置及方法

摘要

一种调整半导体反应室真空系统的排气压力的装置及方法，该方法至少包含下列步骤：利用真空系统于半导体反应室内产生第一压力；检测第一压力并产生第一信号；依据第一信号得到排气压力的一设定值以及利用一控制器调节排气压力值达设定值；外加的所述排气控制器控制加入此真空系统的气体流量以达到维持反应室压力及排气压力间的平衡，即当反应室的压力升高时，通入真空系统的外加气体流量增加，反之，当反应室的压力降低时，通入真空系统的外加气体流量减少。由于动态控制了加入此真空系统的气体流量，有助于快速响应反应室压力的改变，同时可代替节流阀的动作对反应室压力进行调节，因而可减少节流阀的活动，并大大降低微粒污染反应室的可能性。

主权项

1.一种调整半导体反应室的排气压力的装置，其特征在于包括：一第一真空泵，具有一第一排气端及一第一吸气端，所述第一吸气端通过一节流阀与所述半导体反应室相通，而在所述半导体反应室内产生一第一压力，且在所述节流阀至所述第一吸气端间产生一第一排气压力；一第一压力传感器，用以检测所述第一压力并产生一第一信号；一第二压力传感器，用以检测所述第一排气压力，并产生一第二信号；一额外气体源，通过一位于所述节流阀与所述第一吸气端间的一第一进气口，输入一种气体于所述节流阀与所述第一吸气端间；及一控制器，根据所述第一信号及所述第二信号来调节额外输入的所述气体的量，使得所述半导体反应室内的所述第一压力高于所述第一排气压力。