发明名称 |
具有分离栅极与源极注入的快闪存储器及其制造方法 |
摘要 |
一种具有分离栅极与源极注入的快闪存储器及其制造方法,使用相同的多晶硅层来形成浮置栅与控制栅,在浮置栅下方具有一穿隧氧化层,控制栅下方具有一栅氧化层,且穿隧氧化层厚度较栅氧化层厚度薄。由于浮置栅与控制栅是以同一多晶硅层所限定,所以使得本发明中多晶硅层所产生的间隙壁,容易控制控制栅与浮置栅间的沟隙宽度,提供一具有可靠性与可重复制造的单元阵列。 |
申请公布号 |
CN1110085C |
申请公布日期 |
2003.05.28 |
申请号 |
CN98115224.4 |
申请日期 |
1998.06.24 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈志民 |
分类号 |
H01L21/82;H01L21/8234;H01L27/115;H01L27/105 |
主分类号 |
H01L21/82 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
1.一种具有分离栅极与源极注入的快闪存储器的制造方法,包括:提供一硅衬底;形成一栅氧化层;形成一分离栅极掩膜,将部分栅氧化层去除,再去除该分离栅极掩膜;形成一穿隧氧化层;沉积一第一多晶硅层;去除部分该第一多晶硅层,以形成一控制栅与一浮置栅;沉积一第二多晶硅层;去除该第二多晶硅层,以在该控制栅与浮置栅两侧各形成一间隙壁,并在该浮置栅与控制栅之间形成一沟隙;于所述穿隧氧化层下方形成一源极区;以及于所述栅氧化层下方形成一漏极区;其中,所述分离栅极掩膜位于所述控制栅上方。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |