| 发明名称 | 一种氧掺杂硅碳化合物蚀刻停止层 | ||
| 摘要 | 本发明揭露一种应用于双镶嵌内连线的氧掺杂硅碳化合物蚀刻停止层。本发明一种集成电路结构包含有：一底层；一第一介电层，形成于该底层上；一蚀刻停止层(etch stoplayer)，形成于该第一介电层上；以及一第二介电层，形成于该蚀刻停止层上。其中该蚀刻停止层系由氧掺杂硅碳化合物(oxygen－doped SiC)所构成，且该第二介电层系利用化学气相沉积(CVD)制程形成。氧掺杂硅碳化合物具有低介电常数(k＜4.2)、高击穿电压以及极佳的薄膜稳定性，因此可以提升元件可靠度以及操作效能。 | ||
| 申请公布号 | CN1420530A | 申请公布日期 | 2003.05.28 |
| 申请号 | CN01130382.4 | 申请日期 | 2001.11.21 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 杨能辉;蔡正原;吴欣昌 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/283;H01L21/768;H01L23/52;H01L27/02 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 封新琴;巫肖南 |
| 主权项 | 1.一种集成电路，其包含有：一底层：一第一介电层，形成于该底层上；一蚀刻停止层，形成于该第一介电层上；以及一第二介电层，形成于该蚀刻停止层上；其中该蚀刻停止层系由氧掺杂硅碳化合物所构成。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||