| 摘要 |
Es wird eine Licht emittierende Anordnung mit einer Keimschicht mit Aluminium beschrieben. Die Dicke und die Aluminiumzusammensetzung der Keimschicht werden derart gewählt, dass sie der Brechzahl des Substrats und der Anordnungsschichten entsprechen, so dass 90% des Lichtes von den Anordnungsschichten, das auf die Keimschicht trifft, in das Substrat extrahiert wird. Bei einigen Ausführungsformen ist die Keimschicht AlGaN mit einer Dicke zwischen etwa 1000 Å und etwa 1200 Å und mit einer Aluminiumzusammensetzung zwischen etwa 25 und etwa 8%. Bei einigen Ausführungsformen wird die Keimschicht über eine Fläche eines Wurtzit-Substrats gebildet, die gegenüber der c-Fläche des Substrats gekippt ist. Bei einigen Ausführungsformen wird die Keimschicht bei einer hohen Temperatur, beispielsweise zwischen 900 DEG C und 1200 DEG C, gebildet. Bei einigen Ausführungsformen wird die Keimschicht mit Si bis zu einer Konzentration zwischen etwa 3e18 cm·-3· und etwa 5e19 cm·-3· dotiert.
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