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Es wird ein Halbleiterbauelement (5), insbesondere ein mikromechanischer Drucksensor auf Basis von Silizium, vorgeschlagen, der eine Grundschicht (18), eine zumindest weitgehend freitragende Membran (22) und eine auf der Membran (22) befindliche Deckschicht (19) aufweist, wobei die Membran (22) und die Grundschicht (18) zumindest bereichsweise einen Hohlraum (23) begrenzen. Weiter ist zumindest bereichsweise über der Membran (22) ein Leitbereich (20, 21, 24) in der gegenüber dem Leitbereich (20, 21, 24) elektrisch schlecht leitenden Deckschicht (19) vorgesehen, mit dem die der Deckschicht (19) zugewandte Oberfläche der Membran (22) elektrisch kontaktierbar ist.
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