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发明名称 Nichtflüchtiges Halbleiterspeicherbauelement und dessen Herstellungsverfahren
摘要
申请公布号 DE60100205(D1) 申请公布日期 2003.05.28
申请号 DE20016000205 申请日期 2001.05.09
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO 发明人 FUKUMOTO, ATSUSHI;SHIMIZU, SATOSHI;OHNAKADO, TAKAHIRO
分类号 H01L21/8239;H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115;H01L21/824 主分类号 H01L21/8239
代理机构 代理人
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