Musterausbildungsverfahren und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung

摘要

Das erfindungsgemäße Musterausbildungsverfahren zum Übertragen eines hellen Linienmusters (3) auf ein Photoresistmaterial (21b) mit einer Photomaske (5) mit dem hellen Linienmuster (3) umfaßt einen Schritt des Übertragens des hellen Linienmusters (3) der Photomaske (5) auf das Photoresistmaterial (21b) durch Belichten mit einer Lichtmenge von wenigstens dem Vierfachen und höchstens dem Zehnfachen der Lichtmenge (Eth), die das Photoresistmaterial (21b) photosensibilisiert und die Lösbarkeit umkehrt. Somit können ausgezeichnete CD-Brennweitencharakteristiken erreicht werden, wodurch ein Musterausbildungsverfahren und ein Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit kleiner Abmessungsstreuung erhalten werden können.