| 主权项 |
1.一种内连接结构,其至少包含:一基板,而于其表面上构成有既经图案化之混合式低k介电材料,该经图案化之混合式低k介电材料具有一约2.6或为低的有效介电常数,并包含一底部旋涂式介电材料及一顶部旋涂式介电材料,其中该底部及顶部旋涂式介电材料具有不同的原子成分,且这两种旋涂式介电材料中至少其一系属多孔性;一抛光停阻层,构成于该图案化之混合式低k介电材料上;以及金属导电区域,构成于该图案化之混合式低k介电材料上。2.如申请专利范围第1项所述之内连接结构,其中上述之混合式低k介电材料的有效介电常数为从约1.2到约2.2。3.如申请专利范围第1项所述之内连接结构,其中上述之旋涂式介电材料两者皆属多孔性介电材料。4.如申请专利范围第1项所述之内连接结构,其中上述之顶部旋涂式介电材料系一无机介电材料,而该底部旋涂式介电材料则系一有机介电材料。5.如申请专利范围第4项所述之内连接结构,其中上述之无机介电材料属多孔性。6.如申请专利范围第5项所述之内连接结构,其中上述之顶部无机介电材料具有从约5到约80%的体积百分比孔洞性而为从约5到约500的孔洞大小。7.如申请专利范围第4项所述之内连接结构,其中上述之无机介电材料包括Si、O与H以及选择性的C。8.如申请专利范围第7项所述之内连接结构,其中上述之无机介电材料系一HOSP、MSQ、TEOS、HSQ、MSQ-HSQ共聚合物,有基矽氧烷或任何其他含Si质之材料。9.如申请专利范围第4项所述之内连接结构,其中上述之有机介电材料包括C、O及H。10.如申请专利范围第9项所述之内连接结构,其中上述之有机介电材料包括芳香热固性聚合树脂。11.如申请专利范围第1项所述之内连接结构,其中上述之顶部旋涂式介电材料系一有机介电材料,而该底部旋涂式介电材料系一无机介电材料。12.如申请专利范围第11项所述之内连接结构,其中上述之顶部有机介电材料属多孔性。13.如申请专利范围第12项所述之内连接结构,其中上述之顶部有机介电材料具有从约5到约35%的体积百分比孔洞性而为从约1到约50奈米(nm)的孔洞大小。14.如申请专利范围第11项所述之内连接结构,其中上述之有机介电材料包括C、O及H。15.如申请专利范围第14项所述之内连接结构,其中上述之有机介电材料包括芳香热固性聚合树脂。16.如申请专利范围第11项所述之内连接结构,其中上述之无机介电材料包括Si、O与H以及选择性的C。17.如申请专利范围第16项所述之内连接结构,其中上述之无机介电材料系一HOSP、MSQ、TEOS、HSQ、MSQ-HSQ共聚合物,有基矽氧烷或任何其他含Si质之材料。18.如申请专利范围第1项所述之内连接结构,其中上述之黏着增促剂系构成于该底部旋涂式介电材料与该顶部旋涂式介电材料之间。19.如申请专利范围第1项所述之内连接结构,其中上述之抛光停阻层系一无机介电材料。20.如申请专利范围第1项所述之内连接结构,其中上述之抛光停阻层系一有机介电材料。21.如申请专利范围第1项所述之内连接结构,其中上述之金属导体区域含有至少一种由Al、Cu、Ag、W及彼等合金之群组所选出的导电金属。22.如申请专利范围第21项所述之内连接结构,其中上述之导电金属系Cu质。23.如申请专利范围第1项所述之内连接结构,其中上述之金属导体区域进一步含有一线性金属。24.如申请专利范围第23项所述之内连接结构,其中上述之线性金属是由TiN、TaN、Ta、Ti、W、WN、Cr、Nb与彼等混合物之群组所选出。25.如申请专利范围第1项所述之内连接结构,其中上述之基板可为一介电材料、一金属区域、一黏着增促剂、一半导体晶圆或该等任意组合。26.一种混合式低k介电材料,可适用于制作双镶嵌型式之内连接结构,包含一底部旋涂式介电材料及一顶部旋涂式介电材料,其中该底部及顶部旋涂式介电材料具有一约2.6或为低的介电常数、不同的原子成分,且该等旋涂式介电材料中至少其一系属多孔性。27.一种用以构成内连接结构之方法,该方法至少包含下列步骤:(a)于一基板表面上构成出混合式低k介电材料,该混合式低k介电材料具有一约2.6或为低的有效介电常数,并包含一底部旋涂式介电材料及一顶部旋涂式介电材料,其中该底部及顶部旋涂式介电材料具有不同的原子成分,且这两种旋涂式介电材料中至少其一系属多孔性;(b)于该混合式低k介电材料上构成一硬式罩幕,该硬式罩幕至少含有一抛光停阻层;(c)于该硬式罩幕之一局部构成一开口,以曝出该混合式低k介电材料;(d)利用该硬式罩幕作为一蚀刻遮罩,于该低k介电材料的曝出局部内连接结构构成一渠槽;(e)以至少一种导电材料来填充该渠槽;及(f)将沉驻于该抛光停阻层上的导电金属予以平面化。28.如申请专利范围第27项所述之方法,其中上述之旋涂式介电材料两者皆属多孔性介电材料。29.如申请专利范围第27项所述之方法,其中上述之顶部旋涂式介电材料系一无机介电材料,而该底部旋涂式介电材料则系一有机介电材料。30.如申请专利范围第29项所述之方法,其中上述之无机介电材料属多孔性。31.如申请专利范围第30项所述之方法,其中上述之顶部无机介电材料具有从约5到约80%的体积百分比孔洞性而为从约5到约500的孔洞大小。32.如申请专利范围第29项所述之方法,其中上述之无机介电材料包括Si、O与H以及选择性的C。33.如申请专利范围第32项所述之方法,其中上述之无机介电材料系一HOSP、MSQ、TEOS、HSQ、MSQ-HSQ共聚合物,有基矽氧烷或任何其他含Si质之材料。34.如申请专利范围第29项所述之方法,其中上述之有机介电材料包括C、O及H。35.如申请专利范围第34项所述之方法,其中上述之有机介电材料包括芳香热固性聚合树脂。36.如申请专利范围第27项所述之方法,其中上述之顶部旋涂式介电材料系一有机介电材料,而该底部旋涂式介电材料系一无机介电材料。37.如申请专利范围第36项所述之方法,其中上述之顶部有机介电材料属多孔性。38.如申请专利范围第37项所述之方法,其中上述之顶部有机介电材料具有从约5到约35%的体积百分比孔洞性而为从约1到约50奈米(nm)的孔洞大小。39.如申请专利范围第36项所述之方法,其中上述之有机介电材料包括C、O及H。40.如申请专利范围第39项所述之方法,其中上述之有机介电材料包括芳香热固性聚合树脂。41.如申请专利范围第36项所述之方法,其中上述之无机介电材料包括Si、O与H以及选择性的C。42.如申请专利范围第41项所述之方法,其中上述之无机介电材料系一HOSP、MSQ、TEOS、HSQ、MSQ-HSQ共聚合物,有基矽氧烷或任何其他含Si质之材料。43.如申请专利范围第27项所述之方法,其中更包含在构成该顶部旋涂式介电材料前,先于该底部旋涂式介电材料上构成一黏着增促剂。44.如申请专利范围第27项所述之方法,其中上述之混合式低k介电物是按循序的旋涂式镀层处理所构成,其中在各个连续旋涂处理后,会对该旋涂层进行热性平板烘烤处理。45.如申请专利范围第27项所述之方法,其中上述之混合式低k介电物会在步骤(a)后,但在步骤(b)前,加以烘烤。46.如申请专利范围第27项所述之方法,其中上述之混合式低k介电物会在步骤(b)后加以烘烤。47.如申请专利范围第27项所述之方法,其中上述之硬式罩幕是由旋涂镀层方式所制成。48.如申请专利范围第27项所述之方法,其中上述之步骤(c)包括两个微影与蚀刻步骤。49.如申请专利范围第48项所述之方法,其中上述之蚀刻步骤系自含有如下方法的群组中所选出:反应-离子蚀刻(RIE)、电浆蚀刻与离子射束蚀刻。50.如申请专利范围第49项所述之方法,其中上述之RIE含有氟基化学材料。51.如申请专利范围第27项所述之方法,其中上述之步骤(d)含有氧质或还原性蚀刻处理。52.如申请专利范围第27项所述之方法,其中上述之渠槽包括一通道、线路或两者。53.如申请专利范围第27项所述之方法,其中上述之步骤(e)包括自含有如下处理之群组所选出的沉积处理:化学气相沉积(CVD)、电浆辅助CVD、溅镀、镀层及化学溶液沉积。54.如申请专利范围第27项所述之方法,其中更包含在填充该导电金属前,于先该渠槽内沉积一线路材料。55.如申请专利范围第27项所述之方法,其中上述之步骤(f)包括化学机械抛光处理。图式简单说明:第1A-1G图为经本发明各项处理步骤后之本发明内连接结构剖视图。 |
