| 主权项 |
1.一种金属内连线的制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,该半导体基底表面形成有一介电层;于该介电层形成一沟槽;于该沟槽及该介电层表面上依序顺应性形成一第一阻障层,一第一金属层及一第二阻障层;于该第二阻障层上形成一第二金属层,且该第二金属层填满该沟槽;及去除该第一阻障层、该第一金属层、该第二阻障层及该第二金属层直至露出该介电层表面。2.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该沟槽的深度为3m。3.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该第一金属层厚度为2.5m。4.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该第二金属层厚度为0.5m至1m。5.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该第一阻障层为钽。6.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该第一阻障层为钛。7.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该第一阻障层为氮化钽。8.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该第一阻障层为氮化钛。9.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该第一金属层为铜金属层。10.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该第二阻障层为钽。11.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该第二阻障层为钛。12.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该第二阻障层为氮化钽。13.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该第二阻障层为氮化钛。14.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该第二金属层为铜金属层。15.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,更包括去除该介电层上之该第一阻障层、该第一金属层、该第二阻障层及该第二金属层的步骤。16.一种金属内连线的结构,适用于一半导体基底,包括:一介电层,设置于该半导体基底上,该介电层具有一沟槽;一第一阻障层,顺应性设置于该沟槽之侧壁及底部;一第一金属层,顺应性设置于该第一阻障层表面;一第二阻障层,顺应性设置于该第一金属层表面;及一第二金属层,设置于该第二阻障层表面,并填满该沟槽。17.如申请专利范围第16项所述之金属内连线的结构,其中该沟槽的深度为3m。18.如申请专利范围第16项所述之金属内连线的结构,其中该第一金属层厚度为2.5m。19.如申请专利范围第16项所述之金属内连线的结构,其中该第二金属层厚度为0.5m至1m。20.如申请专利范围第16项所述之金属内连线的结构,其中该第一阻障层为钽。21.如申请专利范围第16项所述之金属内连线的结构,其中该第一阻障层为钛。22.如申请专利范围第16项所述之金属内连线的结构,其中该第一阻障层为氮化钽。23.如申请专利范围第16项所述之金属内连线的结构,其中该第一阻障层为氮化钛。24.如申请专利范围第16项所述之金属内连线的结构,其中该第一金属层为铜金属层。25.如申请专利范围第16项所述之金属内连线的结构,其中该第二阻障层为钽。26.如申请专利范围第16项所述之金属内连线的结构,其中该第二阻障层为钛。27.如申请专利范围第16项所述之金属内连线的结构,其中该第二阻障层为氮化钽。28.如申请专利范围第16项所述之金属内连线的结构,其中该第二阻障层为氮化钛。29.如申请专利范围第16项所述之金属内连线的结构,其中该第二金属层为铜金属层。图式简单说明:第1a-1f图系习知之形成金属内连线的制造流程示意图。第2a-2h图系本发明之形成金属内连线的制造流程示意图。 |
