| 主权项 |
1.一种矽晶圆之热处理方法,其特征在于采用急速加热、急速冷却装置在还原性气围气下热处理矽晶圆之方法,去除该矽晶圆表面上之自然氧化膜后,采用急速加热、急速冷却装置,在氢气100%或含有氢气10%以上之氩及/或与氮之混合气体气围下进行热处理。2.如申请专利范围第1项之矽晶圆之热处理方法,其中前述热处理系在温度950~1150℃进行1~300秒。3.如申请专利范围第1项或第2项之矽晶圆之热处理方法,系利用氢氟酸处理进行前述自然氧化膜之去除。4.一种矽镜面晶圆,其微粗糙度系以原子间力显微镜测定的2m边长之P-V値在1.00nm以下,且RMS値在0.12nm以下。图式简单说明:第1图系表示于本发明之采用急速加热、急速冷却的热处理过程之一例的图面。第2图系将急速加热、急速冷却装置之热处理温度及热处理后的微粗糙度P-V値间之关系依矽晶圆表面之自然氧化膜之有无及热处理时间予以层别的表示图。第3图系将于急速加热、急速冷却装置之热处理温度及热处理后的微粗糙度RMS値间之关系依矽晶圆表面之自然氧化膜之有无及热处理时间予以层别的表示图。第4图A及第4图B为表示可急速加热、急速冷却矽晶圆之装置的概略截面图。第5图为将于急速加热、急速冷却装置之氢气浓度及热处理后的昙雾度(haze)间之关系以热处理温度予以层别的表示图。第6图为将于急速加热、急速冷却装置之氢气浓度及热处理后的微粗糙度P-V値间之关系以热处理温度予以层别的表示图。第7图为将于急速加热、急速冷却装置之氢气浓度及热处理后的微粗糙度RMS値间之关系以热处理温度予以层别的表示图。 |
