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1.一种制备半导体晶圆的方法,该晶圆含有利用焊料球使其一表面接触在该晶片焊料向下期间,具有被活化之本性底层填料之半导体晶片,该方法包含步骤:在晶圆中形成之晶片上生成多数间隔的自我支撑塑胶柱,高度大约等于由支撑表面至晶片的支座绝缘子高度;以及其后由晶圆分割该晶片;该塑胶柱在低于,当焊料向下流期间,焊料助熔剂由焊料糊释出之温度的第一温度时,具有变成半流体的性质;和之后在该焊料糊流回的第二温度时,变成流体以充填焊料球之间的容积。2.如申请专利范围第1项的方法,其中该塑胶是热塑性塑胶。3.如申请专利范围第1项的方法,其中该塑胶是热固性环氧树脂,其中该环氧树脂的溶剂在该第二温度蒸发。4.如申请专利范围第1项的方法,其中该塑胶柱是藉网版印刷形成。5.如申请专利范围第1项的方法,其中该塑胶柱是藉沈积形成。6.如申请专利范围第1项的方法,其中该第一温度是大约80℃。7.如申请专利范围第1项的方法,其中该第二温度是超过大约150℃。8.如申请专利范围第2项的方法,其中该第一温度是大约80℃。9.如申请专利范围第3项的方法,其中该第二温度是超过大约150℃。10.一种将覆晶半导体晶片焊接在支撑物表面的方法,该晶片在一表面上有间隔的焊料球接点,该方法包含步骤:在该些焊料球之间形成间隔的自我支撑塑胶柱,高度大约等于由支撑表面至晶片的支座绝缘子高度;利用与该支撑表面接触之该焊料球以及该焊料糊,将该晶片放置在该支撑物表面;升高该塑胶柱的温度至第一温度,在此温度该柱变成半流体,但是在该焊料糊释出焊料助熔剂之前的第一温度;及其后将温度升至第二温度,在此温度焊料助熔剂被释出,同时焊料球被焊接在该支撑表面,而且在此温度,该塑胶变成流体以充填焊料球之间的容积。11.如申请专利范围第10项的方法,其中该塑胶是热塑性塑胶。12.如申请专利范围第10项的方法,其中该塑胶是热固性环氧树脂,其中该环氧树脂的溶剂在该第二温度蒸发。13.如申请专利范围第10项的方法,其中该塑胶柱藉由网版印刷形成。14.如申请专利范围第10项的方法,其中该塑胶柱藉由沈积形成。15.如申请专利范围第10项的方法,其中该第一温度是80℃。16.如申请专利范围第10项的方法,其中该第二温度是超过大约150℃。图式简单说明:第1图是在晶片的表面上具有漏极、源极与闸接点球之金属氧化物场效电晶体(MOSFET)的平面图。第2图是第1图沿着线2-2切面的截面图。第3图是类似第1图在塑胶柱沈积至一选定的衬托物高度之后的图式。第4图是沿着第3图中之线4-4切面之截面图。第5图是在其安装且焊料下,流至印刷电路板之后的第3图与第4图的晶片截面图。第6图是一可以被用来将热固性环氧树脂印在第1至5图之晶圆的焊料球侧上之印刷网版的顶视图。第7图显示第6图具有随晶圆上个别的焊料球群组排列之X型开孔的网版。第8图显示在晶圆上已经形成X型环氧树脂柱之后的第7图之晶圆。第9图是第8图的侧视图,其显示在溶剂被除去之前的环氧树脂柱。第10图是第8图的侧视图,同时显示在该溶剂被除去之后的环氧树脂柱。第11图显示利用一针筒形成焊料球之间的环氧树脂柱的沈积。第12图显示用于沈积环氧树脂柱或塔的进一步方法,其中小的塑胶固体粒被撒在晶圆上,以贴附在先前涂布液体环氧树脂的小区域上。 |
