| 主权项 |
1.一种重新分布层(re-distribution layer;RDL)之结构,至少包括:一半导体基材,具有一上金属层;一重新分布层之介电层,覆盖该半导体基材,且该重新分布层之介电层中具有一介层洞,其中该介层洞贯穿该重新分布层之介电层,且该介层洞与该上金属层相连接;一间隙壁(spacer),位于该介层洞之侧壁;以及一重新分布层之金属层,覆盖部分之该上金属层、该间隙壁、以及该重新分布层之介电层。2.如申请专利范围第1项所述之重新分布层之结构,其中该重新分布层之介电层之材质为氧化物。3.如申请专利范围第1项所述之重新分布层之结构,其中该重新分布层之介电层之高度可达约3m。4.如申请专利范围第1项所述之重新分布层之结构,其中该间隙壁之形状为弧形。5.如申请专利范围第1项所述之重新分布层之结构,其中该重新分布层之金属层之材质系选自于由铝、铜、以及铝铜合金所组成之一族群。6.一种重新分布层之结构,至少包括:一半导体基材,具有一上金属层,其中该上金层层之上表面系为该半导体基材之部分上表面;一蚀刻中止层,覆盖该半导体基材与部分之该上金属层;一重新分布层之介电层,覆盖该蚀刻中止层,且该重新分布层之介电层以及该蚀刻中止层中具有一介层洞,其中该介层洞贯穿该重新分布层之介电层以及该蚀该中止层,且该介层洞与该上金属层相连接;一间隙壁,位于该介层洞之侧壁;以及一重新分布层之金属层,覆盖部分之该上金属层、该间隙壁、以及该重新分布层之介电层。7.如申请专利范围第6项所述之重新分布层之结构,其中该蚀刻中止层之材质为氮化物。8.如申请专利范围第6项所述之重新分布层之结构,其中该重新分布层之介电层之材质为氧化物。9.如申请专利范围第6项所述之重新分布层之结构,其中该重新分布层之介电层之高度可达约3m。10.如申请专利范围第6项所述之重新分布层之结构,其中该间隙壁之形状为弧形。11.如申请专利范围第6项所述之重新分布层之结构,其中该重新分布层之金属层之材质系选自于由铝、铜、以及铝铜合金所组成之一族群。12.一种重新分布层之制程,至少包括:提供一半导体基材,该半导体基材具有一上金属层,其中该上金属层之上表面系为该半导体基材之部分上表面;形成一蚀刻中止层,覆盖该半导体基材;形成一重新分布层之介电层,覆盖该蚀刻中止层;去除部分之该重新分布层之介电层与部分之该蚀刻中止层,藉以形成一介层洞,且约暴露出部分之该上金属层;形成一间隙壁薄膜,覆盖该重新分布层之介电层以及该约暴露出之部分该上金属层,其中位于该介层洞之侧壁上之该间隙壁薄膜系为弧形,且具有一第一高度;去除部分之该间隙壁薄胰,藉以约暴露出该重新分布层之介电层之上表面与部分之该上金属层,且位于该介层洞之侧壁上之该间隙壁薄膜形成一间隙壁,但该间隙壁具有一第二高度,其中该第二高度约小于该第一高度;以及形成一重新分布层之金属层,覆盖部分之该上金层层、该间隙壁、以及该重新分布层之介电层。13.如申请专利范围第12项所述之重新分布层之制程,其中该蚀刻中止层之材质为氮化物。14.如申请专利范围第12项所述之重新分布层之制程,其中该重新分布层之介电层之高度可达约3m。15.如申请专利范围第12项所述之重新分布层之制程,其中该重新分布层之介电层之材质为氧化物。16.如申请专利范围第12项所述之重新分布层之制程,其中去除部分之该间隙壁薄膜之步骤中系使用乾蚀刻方法。17.如申请专利范围第12项所述之重新分布层之制程,其中该重新分布层之金属层之材质系选自于由铝、铜、以及铝铜合所组成之一族群。图式简单说明:第1图系绘示习知重新分布层结构之上视图;第2图系绘示习知重新分布层之剖面结构图;第3图系绘示本发明之一较佳实施例之重新分布层之剖面结构图;以及第4A图至第4E图系绘示本发明之一较佳实施例之重新分布层之制程之结构剖面图。 |
