| 主权项 |
1.一种浅沟槽隔离物的制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底;形成一第一罩幕层于上述基底表面;对上述罩幕层施行热处理,以转换成第二罩幕层;利用微影蚀刻制程将上述罩幕层形成一罩幕图案;利用上述罩幕图案为遮蔽物,蚀刻上述基底,以形成复数浅沟槽区;全面性形成一绝缘层于上述基底,以填满上述复数浅沟槽区;平坦化处理,直到露出上述罩幕图案;以及除去上述罩幕图案。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述第一罩幕层为氧化层。3.如申请专利范围第2项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述氧化层系利用化学气相沈积形成。4.如申请专利范围第1项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述热处理温度为300~500℃。5.如申请专利范围第1项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述热处理温过程之环境气氛为含氮气体。6.如申请专利范围第5项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述含氮气体系为氮气、氨气或一氧化二氮之混和气体。7.如申请专利范围第5项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述第二罩幕层为矽氮氧化合物(SiOxNy)。8.如申请专利范围第1项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述绝缘层系为氧化层。9.如申请专利范围第8项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述氧化层系利用高密度电浆化学气相沈积法形成。10.如申请专利范围第9项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述氧化层形成之前更包括:形成一衬垫氧化层于上述复数浅沟槽侧壁与底部。11.如申请专利范围第10项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述衬垫氧化层系利用热氧化法形成。12.如申请专利范围第1项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述平坦化处理系为化学机械研磨法。13.如申请专利范围第11项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述化学机械研磨之浆液系为矽土(silica)与硷性氨水(NH4OH)之混合液体。14.一种浅沟槽隔离物的制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底;依序形成一垫氧化层、一氧化层于上述基底表面;对上述氧化层施行含氮气氛处理,形成一含氮罩幕罩;利用微影蚀刻制程将上述含氮罩幕层形成一罩幕图案;利用上述罩幕图案为遮蔽物,蚀刻上述基底,以形成复数浅沟槽区;全面性形成一绝缘层于上述基底,以填满上述复数浅沟槽区;进行化学机械研磨,直到露出上述罩幕图案;以及除去上述罩幕图案。15.如申请专利范围第14项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述氧化层系利用化学气相沈积法形成。16.如申请专利范围第14项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述垫氧化层系利用热氧化法形成。17.如申请专利范围第14项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述含氮气体处理之环境温度为300~500℃。18.如申请专利范围第14项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述含氮气体例如为氮气、氨气或一氧化二氮。19.如申请专利范围第18项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述氮气通入流量系为每分钟300~500cc。20.如申请专利范围第18项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述氨气通入流量系为每分钟200~400cc。21.如申请专利范围第14项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述含氮气体处理执行时间系为5~200秒。22.如申请专利范围第14项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述绝缘层系为氧化层。23.如申请专利范围第22项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述氧化层系利用高密度电浆化学气相沈积形成。24.如申请专利范围第23项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述氧化层形成之前更包括:形成一衬垫氧化层于上述复数浅沟槽侧壁与底部。25.如申请专利范围第24项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述衬垫氧化层系利用热氧化法形成。26.如申请专利范围第25项所述之浅沟槽隔离物的制造方法,其中上述化学机械研磨之浆液系为矽土(silica)与硷性氨水(NH4OH)之混合液体。图式简单说明:第1A-1H图,系显示习知之浅沟槽隔离物的制造流程剖面图。第2A-2J图,系显示依据本发明之浅沟槽隔离物的制造流程剖面图。 |
