具薄金属及透明ITO之面射型雷射元件及其制作方法

摘要

一种具薄金属及透明ITO之面射型雷射元件及其制作方法，为一种具上位薄金属及ITO(Indium Tin Oxide)透明电极之垂直共振腔面射型雷射。薄金属及ITO透明电极有高的光穿透率，可使雷射光通过；薄金属介于半导体及ITO之间形成一良好之欧姆接触，可提供垂直共振腔面射型雷射所需的电流可以均匀且容易的由元件上方整面均匀的流入发光层，而雷射所产生的光再从薄金属及ITO所组成的透明电极发射出来，以提升雷射之发光效率，有效的降低操作电流及电压，减少电流由金属边缘流入中间发光层的边缘效应，使雷射的发光模态及高频响应更趋稳定。

主权项

1.一种具薄金属及透明ITO之面射型雷射元件,包含一基板,在基板上成长数个半导体磊晶层,该数个半导体磊晶层包含:一下位光反射镜面复层;一主动伤用区,系位于下位光反射镜面复层之上;一上位光反射镜面复层,系包含一电流局限之离子布植层位于上位光反射镜面复层之周边区域中;一上位金属接触电极层,接触于上位光反射镜面复层上,并具一开口窗与电流局之周边区域对齐;一薄金属与ITO透明电极,位于该上位金属接触电极层之开口窗上,直接与上位反射镜面复层之半导体整面接触,与该上位金属接触电极层周边接触;以及一下位金属接触电极层,位于基板背面,与上位金属接触电极层形成一驱动电流的回路。2.如申请专利范围第1项所述之具薄金属及透明ITO之面射型雷射元件,其中该上位金属接触电极层,可为Cr、AuZn、Au、Ti、Pt、AuBe或Ag。3.如申请专利范围第1项所述之具薄金属及透明ITO之面射型雷射元件,其中该薄金属与ITO透明电极,可为Cr、AuZn、Au、Ti、Pt、AuBe或Ag。4.如申请专利范围第1项所述之具薄金属及透明ITO之面射型雷射元件,其中该上位金属接触电极层之开口窗可为圆形、正方形或多边型。5.一种具薄金属及透明ITO之面射型雷射元件之制作方法,其中包含下列步骤:步骤一:于基板上以金属有机化学气相沉积依序成长下位光反射复镜层、主动作用层、上位光反射复镜层,以及金属电极接触用之高搀杂之砷化镓层;步骤二:利用微影系统之离技术热蒸镀上位金属接触电极;步骤三:透过高温快速热退火处理,以减少金属与半导体的接触电阻;步骤四:制作电流局限之离子布植层;步骤五:将晶片背面磨薄并抛光;步骤六:镀上下位金属接触电极;步骤七:再经过高温快速热退火处理。图式简单说明:图一为习用之垂直共振面射型电射的平面图;图二(a)为本发明具薄金属及透明ITO之面射型雷射元件及其制作方法之平面图;以及图二(b)为该具薄金属及透明ITO之面射型雷射元件及其制作方法之剖面图。