| 主权项 |
1.一种半导体元件的制造方法,该半导体元件具有一非晶矽膜,其步骤包括:(1)清洗具有该非晶矽膜的一晶圆,用以除去该非晶矽膜表面上的微粒子和金属污染物;(2)将该晶圆浸泡于稀氢氟酸溶液内,用以除去在该清洗步骤中形成于该非晶矽膜表面上的化学氧化膜;(3)以纯水冲洗该晶圆;(4)使用异丙醇乾燥该晶圆的乾燥制程,用以除去该非晶矽膜表面上的水分,其中,该乾燥制程的步骤更包括汽化该异丙醇而以该异丙醇蒸气直接地置换该非晶矽膜表面上的水分;以及(5)形成半球状的晶粒于该非晶矽膜表面上;上述步骤均依照号码顺序进行,且该等步骤(2)-(4)系在钝气环境下进行。2.一种半导体元件的制造方法,该半导体元件具有一非晶矽膜,其步骤包括:(1)清洗具有该非晶矽膜的一晶圆,用以除去该非晶矽膜表面上的微粒子和金属污染物;(2)将该晶圆浸泡于稀氢氟酸溶液内,用以除去在该清洗步骤中形成于该非晶矽膜表面上的化学氧化膜;(3)以纯水冲洗该晶圆;(4)使用异丙醇乾燥该晶圆的乾燥制程,用以除去该非晶矽膜表面上的水分,其中,该乾燥制程的步骤更包括将该晶圆从纯水中拉出至异丙醇气体中;以及(5)形成半球状的晶粒于该非晶矽膜表面上;上述步骤均依照号码顺序进行,且该等步骤(2)-(4)系在钝气环境下进行。3.如申请专利范围第1或2项所述之半导体元件的制造方法,其中,在该以纯水冲洗该晶圆的步骤(3)中,该纯水中所含的氧元素浓度系不超过10ppb。4.如申请专利范围第1或2项所述之半导体元件的制造方法,其中,在进行乾燥该晶圆之后,该非晶矽膜表面上没有水纹。图式简单说明:第1图显示的是根据本发明之半导体元件制造装置的简图。第2图显示的是根据本发明之半导体元件制造方法的流程图。第3图显示的是比较本发明和一种习知技术所成长的HSG之图式。第4图显示的是习知一种半导体元件制造方法的流程图。 |
