| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征是具备有:导电体层,形成在半导体基板上之绝缘膜中;穿通孔,穿通上述绝缘膜和上述导电体层而形成;和导电构件,使露出到该穿通孔之上述导电体层端面之周边露出,经由使导电体充填在该穿通孔而形成。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,上述导电体层之上面和下面之至少一方之一部份形成露出用来接触在端面。3.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,上述导电构件是与上述导电体层连接之导电体栓塞。4.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中,上述穿通孔是用来使上述导电体层连接到导电体栓塞之侧壁之连接孔。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,具有被设在上述半导体基板和上述绝缘膜之间之蚀刻之阻挡膜。6.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中,上述导电构件是与上述导电体层连接之埋入配线。7.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中,上述穿通孔具有用来使上述导电体层连接到上述埋入配线之侧壁之沟图案。8.一种半导体装置之制造方法,其特征是所具备之步骤包含有:在半导体基板上形成第1绝缘膜;在上述第1绝缘膜上形成导电体层;在上述导电体层上形成第2绝缘膜;形成穿通上述第2绝缘膜、上述导电体层和上述第1绝缘膜之穿通孔;使上述穿通孔内之上述第1和第2绝缘膜之至少一方后退,用来使上述导电体层露出;和使导电体充填在上述穿通孔用来形成导电构件。9.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中,上述第2绝缘膜使用蚀刻效率比上述第1绝缘膜大者,使该第2绝缘膜后退用来使上述导电体层之上面露出。10.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中,在上述第2绝缘膜上形成第3绝缘膜,使上述第2绝缘膜后退,用来使上述导电体层之上面露出。11.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中,在上述第1绝缘膜之下预先形成第4绝缘膜,上述第1绝缘膜使用蚀刻效率比上述第2和第4绝缘大者,使该第1绝缘膜后退用来使上述导电体层之下面露出。12.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中,在上述第1绝缘膜之下预先形成第4绝缘膜,和在上述第2绝缘膜上形成第3绝缘膜,上述第1和第2绝缘膜使用蚀刻效率比上述第3和第4绝缘膜大者,使上述第1和第2绝缘膜后退用来使上述导电体层之上面和下面露出。13.一种半导体装置的层间接触构造,其特征是具备有:导电体层,形成在基板上之绝缘膜中;穿通孔,穿通上述绝缘膜和上述导电体层而形成;和导电构件,使接触到该穿通孔之上述导电体层之周边露出,经由使导电体充填在该穿通孔而形成。14.一种半导体装置的层间接触构造之形成方法,其特征是所具备之步骤包含有:在基板上形成第1绝缘膜;在上述第1绝缘膜上形成导电体层;在上述导电体层上形成第2绝缘膜;形成穿通上述第2绝缘膜、上述导电体层和上述第1绝缘膜之穿通孔;使上述穿通孔内之上述第1和第2绝缘膜之至少一方后退,用来使上述导电体层露出;和使导电体充填在上述穿通孔用来形成导电构件。图式简单说明:图1(a)、(b)是剖面图,用来表示本发明之实施形态1。图2(a)、(b)是剖面图,用来表示本发明之实施形态2。图3(a)、(b)是剖面图,用来表示本发明之实施形态3。图4(a)、(b)是剖面图,用来表示本发明之实施形态4。图5(a)、(b)是剖面图,用来表示本发明之实施形态5。图6是剖面图,用来表示习知之半导体装置。图7是剖面图,用来扩大的表示习知之半导体装置之一部份。 |
