| 主权项 |
1.一种树脂包封的半导体装置,包括:一晶粒垫;一半导体晶片,系安装于该晶粒垫上;一第一引线,包括位于该第一引线的上表面上之一第一搭接垫,以及位于该第一引线的下表面上之一第一陆面;一第二引线,包括位于该第二引线的上表面上之一第二搭接垫,以及位于该第二引线的下表面上之一第二陆面;一第三引线,包括位于该第三引线的上表面上之一第三搭接垫,以及位于该第三引线的下表面上之一第三陆面;复数条细金属线,每一条系将每一条引线的搭接垫连接到该半导体晶片的一部份;以及一包封树脂,用以包封该半导体晶片、该等引线、该等细金属线及该晶粒垫,其中,该第一引线及该第三引线系相互隔离,并且该第一引线的一端系曝露于该包封树脂的表面及该第三引线的两端系位于该包封树脂之中。2.如申请专利范围第1项之树脂包封的半导体装置,其中该第二引线至少包括一颈部部份,其当以具有一平面图视之时较其他的部份更小的宽度。3.如申请专利范围第1项之树脂包封的半导体装置,其中每一条引线包括在其搭接垫附近的一区域,其具有比对应该搭接垫之该引线的一部份更小的厚度,并且一步阶部份系位于该搭接垫与该搭接垫附近的该区域之间。4.如申请专利范围第1项之树脂包封的半导体装置,其中当以一平面图所视之以三列来配置时,该第一陆面、该第二陆面及该第三陆面系曝露于该包封树脂的下表面。5.如申请专利范围第1项之树脂包封的半导体装置,其中该第二引线及包括该第一引线及该第三引线的一引线结构,可沿着一框主体之通道周围的另一种方式来配置。6.一种制造树脂包封的半导体装置之方法,包括下列步骤:(a)准备一引线架,其中该引线架包括一具有复数个通道位于其中的框架主体,以及一晶粒垫与提供用于每一该等通道中的每一个中之一组引线,该组引线包括:一第一引线,包括位于该第一引线之上表面的一第一搭接垫及位于该第一引线之下表面的一第一陆面;一第二引线,包括位于该第二引线之上表面的一第二搭接垫及位于该第二引线之下表面的一第二陆面;以及一第三引线连接到第一引线,包括位于该第三引线之上表面的一第三搭接垫及位于该第三引线之下表面的一第三陆面;(b)黏着一包封薄片于该引线架的下表面;(c)安装一半导体晶片于该等通道中的每一个之该晶粒垫上;(d)藉由一细金属线,将每一个半导体晶片之复数个部份中的每一个电气连接到该第一搭接垫到该第三搭接垫中的一个;(e)以一包封树脂,将该等半导体晶片、该等引线、该等细金属线及该等晶粒垫包封于各自的该等通道中,藉此会产生一包封结构;(f)移除该包封薄片;(g)将步骤(e)中所获得的整个该包封结构区分成个别的树脂包封的半导体装置;以及(h)在步骤(b)之后及在步骤(e)之前,会切除该第一引线与该第三引线之间的一连接部份,藉此可使该第一引线与该第三引线相互电气隔离。7.如中请专利范围第6项之制造树脂包封的半导体装置之方法,其中在步骤(a)中,一颈部部份系至少提供于该第二搭接垫与该框主体之间的一区域之该第二引线中,该颈部部份以如一平面图视之时具有比其他的部份更小的宽度。8.如申请专利范围第6项之制造树脂包封的半导体装置之方法,其中在步骤(a)中,一步阶部份系位于该引线的该搭接垫附近之每一条引线的一区域与对应该搭接垫之该引线的一部份之间。9.如申请专利范围第6项之制造树脂包封的半导体装置之方法,其中在步骤(a)中,该第二引线及包括该第一引线及该第三引线的一引线结构,可沿着一框主体之通道周围交替地配置。10.如申请专利范围第6项之制造树脂包封的半导体装置之方法,其中在步骤(g)中,该包封结构系以一旋转刀片来切割。图式简单说明:图1绘示的是根据本发明之一具体实施例之引线架的平面图;图2绘示的是沿着图1中之线II-II所得到的横截面图。图3A及图3B系分别沿着线IIIb-IIIb所得到的平面图及横截面图,其绘示的是根据本发明之一具体实施例之引线架的主要部份。图4A、图4B及图4C系分别沿着线IV-IV所得到的上视图、横截面图及下视图,其绘示的是根据本发明之一具体实施例之树脂包封的半导体装置。图5A及图5B系分别沿着线V-V所得到的平面图及横截面图,其绘示的是根据本发明之一具体实施例之准备引线架的步骤。图6A及图6B系分别沿着线VI-VI所得到的平面图及横截面图,其绘示的是根据本发明之一具体实施例之切割第一引线与第三引线之间的连接部份之步骤。图7A及图7B系分别沿着线VII-VII所得到的平面图及横截面图,其绘示的是根据本发明之一具体实施例之晶粒接合的步骤。图8A及图8B系分别沿着线VIII-VIII所得到的平面图及横截面图,其绘示的是根据本发明之一具体实施例之金属线接合的步骤。图9A及图9B系分别沿着线IX-IX所得到的平面图及横截面图,其绘示的是根据本发明之一具体实施例之树脂包封的步骤。图10A及图10B系分别沿着线X-X所得到的平面图及横截面图,其绘示的是根据本发明之一具体实施例之切割成小块的步骤。图11绘示的是制式之QFN型之树脂包封的半导体装置的横截面图。图12绘示的是用于制式之QFN型之树脂包封的半导体装置中的引线架之平面图。图13A、图13B、图13C及图13D系沿着图12中之线XIII-XIII所得到的横截面图,其绘示的是制造制式之QFN型之树脂包封的半导体装置之程序。图14A、图14B及图14C系分别沿着线XIVc-XIVc所得到的上视图、下视图及横截面图,其绘示的是制式之LGA型之树脂包封的半导体装置。图15绘示的是用于制式之LGA型之树脂包封的半导体装置中的引线架之平面图。图16A、图16B、图16C及图16D系沿着图15中之线XVI-XVI所得到的横截面图,其绘示的是制造制式之LGA型之树脂包封的半导体装置之程序。 |
