发明名称 INSULATED CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH AN ELECTRIC FIELD TERMINAL REGION
摘要
申请公布号 EP1135805(A4) 申请公布日期 2003.05.21
申请号 EP19990946984 申请日期 1999.09.16
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 KESHAVARZI, ALI;DE, VIVEK, K.;NARENDRA, SIVA, G.
分类号 H01L29/786;(IPC1-7):H01L27/01;H01L27/12;H01L31/039;H01L29/76;H01L29/788 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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