| 发明名称 | 光接收元件、有内构电路的光检测器以及光拾取器 | ||
| 摘要 | 光接收元件包括至少包括第一导电型半导体层的半导体结构；设在半导体结构中的第一导电型半导体层上的第一层第二导电型半导体层；杂质浓度低于第一层第二导电型半导体层的第二层第二导电型半导体层；设在第二层第二导电型半导体层上的第二层第一导电型半导体层，或设在第二层第二导电型半导体层中的第二层第一导电型半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN1419299A | 申请公布日期 | 2003.05.21 |
| 申请号 | CN02160606.4 | 申请日期 | 2002.10.31 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 泷本贵博;大久保勇;久保胜;中村弘规;福岛稔彦;吉川俊文 |
| 分类号 | H01L31/10;H01L27/14;G01J1/02;G11B7/00 | 主分类号 | H01L31/10 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1、一种光接收元件，包括：半导体结构，至少包括第一导电型半导体层；第一层第二导电型半导体层，设在半导体结构中的第一导电型半导体层上；第二层第二导电型半导体层，其杂质浓度低于第一层第二导电型半导体层的杂质浓度；设在第二层第二导电型半导体层上的第二层第一导电型半导体层，或设在第二层第二导电型半导体层中的第二层第一导电型半导体层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||