| 发明名称 | 通过双向数据写入磁场实施数据写入的薄膜磁体存储装置 | ||
| 摘要 | 构成MTJ存储单元的隧道磁阻件(TMR)为使磁化特性稳定，具有纵横比大于1的细长形状。数据写入电流流通的位线(BL)及写字线(WWL)被分别沿隧道磁阻件(TMR)的短边方向及长边方向配置。流过容易确保配线宽度的位线(BL)的数据写入电流被设计成为大于流过写字线(WWL)的数据写入电流。比如，使写字线(WWL)比位线(BL)更接近隧道磁阻件(TMR)配置。 | ||
| 申请公布号 | CN1419241A | 申请公布日期 | 2003.05.21 |
| 申请号 | CN02142125.0 | 申请日期 | 2002.08.28 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 日高秀人 |
| 分类号 | G11C11/15;G11C7/00 | 主分类号 | G11C11/15 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种薄膜磁体存储装置，配有：各自具有根据响应由第1及第2数据写入电流产生的规定数据写入磁场的施加而可改写的磁化方向，其电阻变化的磁存储部的多个存储单元；为使上述第1数据写入电流流通而沿第1方向配置的第1数据写入配线；为使上述第2数据写入电流流通而沿第2方向配置的第2数据写入配线，其中上述第1数据写入电流大于上述第2数据写入电流，上述第1数据写入配线的截面积大于上述第2数据写入配线的截面积。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||