| 发明名称 | 半导体器件生产方法 | ||
| 摘要 | 半导体器件生产方法，包含如下步骤：在半导体基片上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成由导电材料构成的导电薄膜，在导电薄膜上形成由有机材料构成的防反射敷层，在防反射敷层上形成光敏光刻胶膜，通过暴光在光刻胶膜上显影预定的光图像，以形成光刻胶图形，用包含氧气，反应气及惰性气体的混合气的等离子体的干蚀选择的去除防反射敷层，从而形成防反射敷层图形，并用光刻胶图形作为掩膜蚀刻导电薄膜，从而形成电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1109357C | 申请公布日期 | 2003.05.21 |
| 申请号 | CN98125646.5 | 申请日期 | 1998.12.23 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 齐藤和美 |
| 分类号 | H01L21/3065;H01L21/027;H01L21/768;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的生产方法，其特征在于包含如下步骤：在半导体基片上形成绝缘膜(102)；在所述绝缘膜上形成由导电材料构成的导电薄膜(103)；在所述导电薄膜上形成由有机材料构成的防反射敷层(104)；在所述防反射敷层上形成光敏光刻胶膜(105)；通过暴光在所述光刻胶膜上显影预定的光图像，以形成光刻胶图形(105a)；用包含氧气，反应气及惰性气体的混合气的等离子体的干蚀选择的去除所述防反射敷层，用所述保护图形作为掩膜，从而形成防反射敷层图形(104a)；及并用所述保护膜图形作为掩膜蚀刻所述导电薄膜，从而形成电极(103a) | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||