发明名称 节能旁路晶体管逻辑电路和使用该电路的全加器
摘要 本发明公开了一种具有不会漏电的电平恢复电路(50)的可节约能量的旁路晶体管逻辑电路和使用这种电路的全加器。该逻辑电路包括具有若干个n型FET(M<SUB>1</SUB>-M<SUB>4</SUB>)的功能块(10),该功能块完成输入(12,14,16,18)的至少一种逻辑功能以产生2个互补信号(20,22),该互补信号(20,22)是一个弱高电平信号和一个强低电平信号,该逻辑电路还包括具有第一和第二CMOS反相器(52,54)的电平恢复块(50),用于将该弱高信号恢复为强的或满程高电平信号并且防止漏电流流过被施加了弱高电平的第一和第二CMOS反相器(52,54)中的一个。
申请公布号 CN1109406C 申请公布日期 2003.05.21
申请号 CN97191956.9 申请日期 1997.01.30
申请人 三星电子株式会社 发明人 宋敏圭;姜根淳;金圣元;曺栗镐
分类号 H03K19/094 主分类号 H03K19/094
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 余朦
主权项 1.一种旁路晶体管逻辑电路,包括:一个具有若干个n型FET的功能块,用于完成输入的至少一种逻辑功能以产生2个互补信号,所述的互补信号是一个弱的高电平信号和一个强的低电平信号;以及一个具有第一和第二CMOS反相器的电平恢复模块,用于将该弱的高电平信号恢复到一个强的高电平信号并且防止漏电流流过被施加所述弱高电平的所述第一和第二CMOS反相器中的一个,所述的电平恢复模块还包括用于将其上施加所述强低电平信号的另一个CMOS反相器的输出传递到所述CMOS反相器中的一个的装置,其特征在于:所述装置包括2个响应所述强的低电平信号而导通的开关器件,用于将所述的弱高电平信号改变为所述强高电平信号。
地址 韩国京畿道水原市