METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR, IN PARTICULAR IN THE LOW-ENERGY UV-X DOMAIN, AND PHOTODETECTOR OBTAINED BY SAID METHOD

摘要

Procédé de fabrication d'un photodétecteur semiconducteur, notamment dans le domaine UV-X de basse énergie, et photodétecteur obtenu par ce procédé. Selo n l'invention, on fabrique un élément de photodétection (22) en matériau semiconducteur photodétecteur, cet élément étant muni d'électrodes (24, 26). Après la fabrication de l'élément de photodétection et sans altérer les électrodes, on enlève une couche superficielle du matériau semiconducteur photodétecteur pour créer une nouvelle couche superficielle ayant les propriétés électriques du volume de ce matériau.