| 摘要 |
<p>Dans la présente invention, un thyristor pnpn (Thy1) et six diodes (D1, D2, D3, D4, D5, D6) sont formés dans un substrat semi-conducteur du type ayant une première conductivité. Les éléments sont séparés en six régions par une couche diffusée ayant une deuxième conductivité qui est commune à l'anode du thyristor (Thy1). Une couche diffusée à double isolation est disposée, plus particulièrement, entre la région du thyristor (Thy1) et trois diodes pn (D1, D2, D6) et la région restante des trois diodes pn (D3, D4, D5). Un circuit de protection contre la surtension du type à équilibrage est constitué de manière monolithique par une connexion de surface.</p> |
