Verfahren zur Verringerung des elektrischen Kontaktwiderstandes in organischen Feldeffekt-Transistoren durch Einbetten von Nanopartikeln zur Erzeugung von Feldüberhöhungen an der Grenzfläche zwischen dem Kontaktmaterial und dem organischen Halbleitermaterial

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von auf organischen Halbleitermaterialien basierenden Halbleitereinrichtungen, bei denen ein elektrischer Kontaktwiderstand zwischen einem ersten Körper (1) und einem zweiten Körper (2), von denen einer aus einem organischen Halbleitermaterial und der andere aus einem Kontaktmaterial besteht, durch Einbetten von Nanopartikeln (4) an einer Kontaktfläche (3) zwischen den beiden Körpern minimiert ist.