一种铌酸锂调制器及其制造方法

摘要

一种铌酸锂调制器及其制造方法，其包括：选择具有合适的晶体切向和电场利用方向的铌酸锂晶体制备的衬底；在铌酸锂晶体上制作出的光波导；制作在铌酸锂晶体上的与光波导匹配的调制电极，包括中心信号电极和与地连接的地电极，其中调制电极的各电极与光波导之间组成推挽结构，且调制电极的拐弯部分为锥形过渡和弯曲过渡；制作在调制电极的输入端和输出端的微带匹配电路；在调制电极与光波导之间设置的缓冲层结构。本发明由于巧妙地设计调制电极与光波导以及两者之间的匹配结构，从而可以提供一种调制速率高、插入损耗低、消光比高、半波电压低、电反射小的高可靠性的铌酸锂调制器及其制造方法。

主权项

1、一种铌酸锂调制器的制造方法，其特征在于包括以下步骤：a、选择电场方向平行于晶体z轴方向的可利用铌酸锂晶体最大电光系数γ33的X切Y传铌酸锂晶体或Z切Y传铌酸锂晶体制备的衬底；b、利用钛扩散或质子交换的方法在铌酸锂晶体上制作M-Z干涉仪光波导；c、在光波导上制作行波电极作为调制电极；d、在调制电极的输入端和输出端加入微带匹配电路；e、确定光波导与调制电极的位置匹配结构；f、在光波导与调制电极之间制作缓冲层结构；g、利用光纤与光波导的耦合结构及其耦合方法对调制器进行封装。