发明名称 |
磁传感器 |
摘要 |
提供一种磁传感器,设置有用来产生施加在磁电阻效应元件的偏置磁场的节省空间且耗电低的线圈。磁传感器设置有薄膜状的磁隧道效应元件(磁电阻效应元件)11。线圈21被配置在磁隧道效应元件11的下方平行于该元件的薄膜面的面内,并且是由涡旋状的第一导线部21-1和涡旋状的第二导线部21-2构成的双涡旋型的线圈。平面上看,磁隧道效应元件11被配置在第一导线部21-1的涡旋中心P1和第二导线部21-2的涡旋中心P2之间。平面上看第一导线部21-1与磁隧道效应元件11重叠的部分和同一平面上看第二导线部21-2与磁隧道效应元件11重叠的部分把第一、第二导线部21-1、21-2连接起来,以便流过同一方向的电流。 |
申请公布号 |
CN1417872A |
申请公布日期 |
2003.05.14 |
申请号 |
CN02146981.4 |
申请日期 |
2002.10.29 |
申请人 |
雅马哈株式会社 |
发明人 |
铃木利尚;佐藤秀树;金子诚 |
分类号 |
H01L43/08;H01L43/12;G01R33/09 |
主分类号 |
H01L43/08 |
代理机构 |
隆天国际专利商标代理有限公司 |
代理人 |
陈红;楼仙英 |
主权项 |
1.一种磁传感器包括薄膜状的磁电阻效应元件、形成在与所述磁电阻效应元件的膜平面平行的面内的产生向该磁电阻效应元件施加的磁场的线圈,其特征在于:所述线圈由平面上看形成涡旋的第一导线和平面上看形成涡旋的第二导线构成;所述磁电阻效应元件平面上看配置在所述第一导线的涡旋中心和所述第二导线的涡旋中心之间;第一和第二导线由位于平面上看与磁隧道效应元件重叠的部分的第一导线的部分和位于平面上看与磁隧道效应元件重叠的部分的第二导线的部分相连接。 |
地址 |
日本静冈县 |