| 发明名称 | 铁电电容器的制造方法 | ||
| 摘要 | 铁电电容器的制造方法。该方法包括：在具有晶体管和位线的衬底上形成层间绝缘层，从而晶体管和位线由层间绝缘层覆盖；在层间绝缘层上形成接触孔，以部分地露出衬底；在层间绝缘层上形成具有预定厚度的导电层，导电层填充接触孔；在导电层上形成防氧化层；顺序地在防氧化层上形成下部电极、铁电层、上部电极。因而，彼此面对的用作存储节点的导电层与下部电极的界面的抗氧化性增加，因此形成铁电薄膜的温度也有所增加。因而，可以得到具有优良特性的铁电薄层。 | ||
| 申请公布号 | CN1417849A | 申请公布日期 | 2003.05.14 |
| 申请号 | CN02130549.8 | 申请日期 | 2002.08.16 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李俊冀;朴永洙 |
| 分类号 | H01L21/70 | 主分类号 | H01L21/70 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种制造铁电电容器的方法，该方法包括步骤：在具有晶体管和位线的衬底上形成层间绝缘层，从而晶体管和位线由层间绝缘层覆盖；在层间绝缘层中形成接触孔，以部分地露出衬底；在层间绝缘层上形成具有预定厚度的导电层，该导电层填充接触孔；在导电层上形成防氧化层；以及在防氧化层上顺序地形成下部电极、铁电层和上部电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||