硅锗/硅的化学气相沉积生长方法

摘要

本发明公开了一种在低温、超高背景真空度的工艺环境下，采用光化学气相淀积设备外延生长硅锗/硅材料的方法。本发明的主要特点是，将UHV/CVD技术和光CVD技术的优点有机地结合起来，在背景真空度优于1×10^－7Pa，反应温度为400～450℃，反应压力为1～10Pa条件下，生长硅锗/硅材料。采用本发明生长出的硅锗/硅材料不仅应力小、晶体结构完整，而且界面特性好，满足实用要求。

主权项

1.一种利用化学气相淀积技术外延生长单层硅锗/硅的方法，其特征是：将硅衬底片或带有硅外延层的衬底片置于背景真空度达到8×10-8～1×10-7Pa的真空反应室中，并将真空反应室的温度加热到400～450℃的范围内；向所述真空反应室通入反应气体，反应气体包括硅烷(SiH4)、锗烷(GeH4)，反应气体的流量依据所生长材料要求的掺杂浓度和化学反应速度来设置；用紫外光源照射所述真空反应室中的反应气体，其照射时间依据所生长材料的厚度而定；在所述紫外光源照射期间，所述真空反应室的压力始终维持在1～10Pa。。