用于大存储容量的3－D存储设备

摘要

随机存取存储设备包括存储阵列的一个或多个相互重叠往上堆放的平面。每个平面都能单独被生产，并且在该平面里的每个阵列都能分别被使能/禁止。用这种方式，在该平面里的每个存储阵列都能被单独测试，有缺陷的存储阵列可被筛选掉，这样就增加了最终成品率及质量。一个存储平面可被堆叠在每个其它存储平面以及一个有源电路平面板之上以做成一个大容量存储设备。通过使用适当的存储单元作为基单位，该存储器可以是易失的也可为非易失的。另外，该存储平面与该有源电路板分开安装。该存储平面不需硅基片，而例如可由玻璃基片组成。进一步讲，每个存储平面经由平面存储选择晶体管组可被单独选择。该阵列经由阵列选择晶体管能单独被选择。

主权项

1.一种存储平面(200)包含：一个基片(110)；由在所述基片(110)之上形成的多条阵列选择线(150)；在所述基片(110)之上形成和用于构成使能/禁止所述存储平面(200)的一个平面使能电路(250)；电连接于所述平面使能电路(250)的一条平面选择线(270)；以及在所述基片(110)之上形成的一个或多个存储阵列(100)，其中至少一个存储阵列(100)包括：由在所述基片(110)之上形成的并向行方向延伸的一条或多条行导线(120)；由在所述基片(110)之上形成的一条或多条列导线(130)，并且向列方向延伸以使在所述行导线(120)和列导线(130)间的每个交叉处形成一个交叉点；由在一个或多个所述交叉点中形成的一个存储单元(140)；以及用于构成使能/禁止所述存储阵列(100)和被电连接于所述多条阵列选择线(150)中的至少一条的一个阵列使能电路(170)。