发明名称 用于控制存储系统中的积极终端电阻的装置及其方法
摘要 提供一种用于积极(active)终端电阻的控制装置及其方法,能够控制动态随机存取存储器(DRAM)的积极终端电阻的开/关状态而不必考虑安装在存储模块中的动态随机存取存储器的工作模式。安装在存储电路中的缓冲电路包括:信号终端;具有耦合到信号终端的一个输入端的同步输入缓冲器;具有耦合到信号终端的一个输入端的异步输入缓冲器;以及依据存储电路的工作模式选择地输出同步输入缓冲器的输出或异步输入缓冲器的输出的开关电路。用来控制积极终端电阻的装置及其方法,能够控制积极终端电阻的开/关而不必考虑延迟锁定环路或相位锁定环路的工作模式,从而减少数据泡沫(bubble)。
申请公布号 CN1417805A 申请公布日期 2003.05.14
申请号 CN02157515.0 申请日期 2002.10.19
申请人 三星电子株式会社 发明人 庆桂显
分类号 G11C11/4063;G11C7/00 主分类号 G11C11/4063
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 马莹;邵亚丽
主权项 1.一种安装在存储电路中的缓冲电路,包括:信号终端;同步输入缓冲器,具有耦合到所述的信号终端的一个输入端;异步输入缓冲器,具有耦合到所述的信号终端的一个输入端;以及开关电路,其依据存储电路的工作模式选择地输出所述的同步输入缓冲器的输出或所述的异步输入缓冲器的输出。
地址 韩国京畿道