| 主权项 |
1.一种配线基板之制造方法,为具备有:树脂绝缘层;导体层,为呈所定图型而形成于该树脂绝缘层上;以及上部树脂绝缘层,系积层在上述树脂绝缘层及导体层上之配线基板之制造方法,其特征在于具备有:导体层形成程序,在具有附着以所希望之表面粗度粗化、且附着Pd之上述树脂绝缘层之基板中,于上述树脂绝缘层上以无电解Cu电镀及电解Cu电镀而形成上述导体层;氰处理程序,系将上述导体层所形成之基板使用氰溶液来洗净;以及上述树脂绝缘层形成程序,已经过上述氰处理之基板中,于上述树脂绝缘层及导体层上,形成上部树脂绝缘层。2.如申请专利范围第1项之配线基板之制造方法,其中在前述氰处理程序之中,介于使前述基板乾燥之程序之间,以多数次、且以上述氰溶液而洗净上述基板。3.如申请专利范围第2项之配线基板之制造方法,其中由前述导体层形成程序至前述氰处理程序,系将基板温度维持在约85℃以下。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之配线基板之制造方法,其中具备有加热处理程序,系为在前述氰处理程序后、前述上部树脂绝缘层形成程序前,将已经过上述氰处理之基板加热至超过约85℃之温度。5.如申请专利范围第4项之配线基板之制造方法,其中具备有导体粗化程序,系为在前述加热处理程序后、前述上部树脂绝缘层形成程序前,粗化前述导体层之表面。6.一种配线基板之制造方法,为具备有:树脂绝缘层;导体层,为呈所定图型而形成于该树脂绝缘层上;以及上部树脂绝缘层,系积层在上述树脂绝缘层及导体层上之配线基板之制造方法,其特征在于具备有:无电解Cu电镀程序,系在具有附着以所希望之表面粗度粗化、且附着Pd之上述树脂绝缘层之基板中,于上述树脂绝缘层上形成无电解Cu电镀层;乾燥程序,系将已形成有上述无电解Cu电镀层之基板以约85℃以下之温度乾燥;电镀防蚀层形成程序,上述乾燥程序后,于上述无电解Cu电镀层上形成所定图型之电镀防蚀层;电解Cu电镀程序,于由上述电镀防蚀层所露出之上述无电解Cu电镀层上,形成电解Cu电镀层;电镀防蚀层去除程序,系于上述电解Cu电镀程序后,去除上述电镀防蚀层;蚀刻程序,系蚀刻去除覆盖于上述电镀防蚀层之上述无电解Cu电镀层,而形成上述导体层;氰处理程序,系使用氰溶液来洗净上述导体层所形成之基板;以及上部树脂绝缘层形成程序,已经过上述氰处理之基板中,于上述树脂绝缘层及导体层上形成有上部树脂绝缘层。7.如申请专利范围第6项之配线基板之制造方法,其中在前述氰处理程序之中,为介于使前述基板乾燥之程序之间,以多数次、且以前述氰溶液而洗净上述基板。8.如申请专利范围第6项或第7项之配线基板之制造方法,其中具备有加热处理程序,系为在前述氰处理程序后、前述上部树脂绝缘层形成程序前,将已经过上述氰处理之基板加热至超过约85℃之温度。9.如申请专利范围第8项之配线基板之制造方法,其中具备有导体粗化程序,系为在前述加热处理程序后、前述上部树脂绝缘层形成程序前,粗化前述导体层之表面。图式简单说明:第1图所示系关于实施例之配线基板之局部放大断面图。第2图所示系关于实施例中配线基板之制造方法,显示使Pd附着至表面已粗化之第1树脂绝缘层上之说明图。第3图所示系关于实施例中配线基板之制造方法,显示将电解Cu电镀层形成在由电镀防蚀层露出之无电解Cu电镀层上之说明图。第4图所示系关于实施例中配线基板之制造方法,显示蚀刻去除覆盖至电镀防蚀层上之无电解Cu电镀层之说明图。第5图所示系关于实施例中配线基板之制造方法,显示形成第2树脂绝缘层之说明图。第6图所示系有关习知技术之配线基板之局部放大断面图。第7图所示系有关习知技术之配线基板之制造方法,显示使Pd附着在表面已粗化之树脂绝缘层上之说明图。第8图所示系有关习知技术之配线基板之制造方法,显示将电解Cu电镀层形成在由电镀防蚀层露出之无电解Cu电镀层上之说明图。第9图所示系有关习知技术之配线基板之制造方法,显示蚀刻去除覆盖至电镀防蚀层上之无电解Cu电镀层之说明图。 |
