| 主权项 |
1.一种电极之制造方法,特别是一种记忆电容器之电极之制造方法,此电极是对准其终端,本方法之特征为以下各步骤:a)制备一种基板;b)在此基板上施加至少一种隔离层;c)在此种隔离层中产生一种接触孔以连接此电极;d)此接触孔中以导电性材料填入直至一预定之高度为止;e)此接触孔中以电极材料完全填入;f)去除该隔离层直至一预定之深度为止。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在步骤d)中使接触孔中完全以一种导电性材料填入且选择性地对该隔离层来对此导电性材料进行回(back)蚀刻直至一预定之高度为止。3.如申请专利范围第2项之方法,其中在该选择性之回蚀刻之前进行一种CMP步骤。4.如申请专利范围第1,2或3项之方法,其中在步骤e)之前在接触孔中之导电性材料之产生一种位障层。5.如申请专利范围第4项之方法,其中在产生此位障层之后进行一种等向性之蚀刻。6.如申请专利范围第1,2或3项之方法,其中此电极材料藉由溅镀(较佳是已对准之溅镀)而沈积在整面上且在步骤f)之前进行一种CMP步骤。7.如申请专利范围第6项之方法,其中在CMP步骤中使用一种单晶奈米微粒(特别是A1203-奈米微粒)悬浮液。8.如申请专利范围第7项之方法,其中此悬浮液中添加一些物质(特别是甘油或多醇类)以便防止各种聚集现象。9.如申请专利范围第1,2或3项之方法,其中在步骤f)中藉由选择性地对此电极材料进行蚀刻以去除该隔离层直至预定之深度为止。10.如申请专利范围第9项之方法,其中使用4d和5d过渡金属(特别是铂族金属(Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt))中之一种金属(特别是铂或铼)作为电极材料。11.一种电极,其特征为:隔离层(5)具有开口(6),开口(6)中配置各终端(7,8)及终端上之电极(10),电极(10)之横向尺寸是与终端(7,8)者相同且电极(10)突出于隔离层(5)之上。12.如申请专利范围第11项之电极,其中各终端(7,8)包含一种位障层(8)。13.如申请专利范围第12项之电极,其中位障层(8)由金属矽化物构成。14.如申请专利范围第13项之电极,其中金属矽化物是钴矽化物。15.如申请专利范围第11至14项中任一项之电极,其中电极(10)由4d及5d过渡金属中之一种金属所构成,特别是由铂族金属(Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt))所构成,特别是由铂或铼所构成。16.如申请专利范围第11至14项中任一项之电极,其中电极(10)以介电质层及或铁电质层(11)及导电层(12)覆盖,电极(10)与介电质层及/或铁电质层(11)及导电层(12)共同形成一种记忆电容器。17.如申请专利范围第11至14项中任一项之电极,其中隔离层(5)覆盖矽基板(1),矽基板(1)中配置一种扩散区(2),开口(6)在隔离层(5)中延伸至扩散区(2)且该扩散区(2)之终端(7,8)导电性地与电极(10)相连接。18.如申请专利范围第11至14项中任一项之电极,其中隔离层(5)由氧化矽所构成。图式简单说明:第1图 矽基板,其具有已制成之选择电晶体。第2图 产生各接触孔之后第1图之结构。第3图 施加导电性材料之后第2图之结构。第4图 去除该导电性材料且在各接触孔中选择性地对该导电性材料进行回蚀刻之后第3图之结构。第5图 产生一种位障层之后第4图之结构。第6图 施加一种电极材料之后第5图之结构。第7图 使电极层之上部裸露之后第6图之结构。第8图 在介电质层及/或铁电质层以及上部电极层产生之后第7图之结构。 |
