电子封装体之组合

摘要

本发明主要利用多层的保护体(例如俗称构装体或封装体者)结构来改良晶片构装(或封装)完成后的产品(例如电子元件)常发生翘曲的缺点。本技术所揭露的保护体之组合技术，主要藉由改变不同封装材料的弹性模数与热膨胀系数，来降低电子零件在后制程中，因为环境温度、湿度变化所造成的翘曲现象。除改良翘曲特性之外，经过适当的材料调整与几何结构形状设计，本技术也可增强晶片散热效率，加强产品整体的抗应力强度，附加电磁遮蔽功能(EMI Shielding)等。此外，本发明不需大幅变动制程设备与制造流程，而以最经济的方式，达到上述的目的。

主权项

1.一种电子元件,其包含:至少一积体电路;一载具,用以支持该积体电路;以及一保护体,用以覆盖该积体电路,以及该载具的至少一部份,该保护体包含至少一第一部位与一第二部位,该第一部位与该第二部位分别由不同材料构成,以降低温度变化所引起的体形翘曲。2.如申请专利范围第1项所述的电子元件,其中该积体电路系一晶片。3.如申请专利范围第1项所述的电子元件,其中该载具系一基板、一导线架、一卷带等三者中的任一者。4.如申请专利范围第1项所述的电子元件,其中该载具包含至少一连接部位,用以连接该积体电路。5.如申请专利范围第1项所述的电子元件,其中该载具包含至少一电连接装置,用以电连接该积体电路。6.如申请专利范围第1项所述的电子元件,其中该保护体的该第一部位接触该积体电路,而该第二部位接触该载具。7.如申请专利范围第1项所述的电子元件,其中该保护体的该第一部位覆盖该积体电路、以及该载具之至少一部份,而该第二部位覆盖该第一部位。8.如申请专利范围第1项所述的电子元件,其中该保护体的该第一部位与该第二部位各接触该积体电路与该载具的不同部份。9.如申请专利范围第6项所述的电子元件,其中该保护体更包含一第三部位,该第三部位覆盖该第一部位与该第二部位,该第三部位的构成材料不完全相同于该第一部位与该第二部位。10.如申请专利范围第9项所述的电子元件,其中该保护体的该第三部位包含至少两部份,各由不同材料构成,并且各接触该第一部位与该第二部位的不同部份。11.如申请专利范围第9项所述的电子元件,其中该保护体的该第三部位包含至少两部份,各由不同材料构成,其一者覆盖该第一部位与该第二部位,而被其另一者所覆盖。12.如申请专利范围第7项所述的电子元件,其中该保护体的该第二部位包含至少两部份,各由不同材料构成,并且各接触该第一部位的不同部份。13.如申请专利范围第7项所述的电子元件,其中该保护体的该第二部位包含至少两部份,各由不同材料构成,其一者覆盖该第一部位,而被其另一者所覆盖。14.如申请专利范围第8项所述的电子元件,其中该保护体更包含一第三部位,该第三部位覆盖该第一部位与该第二部位,该第三部位的构成材料不完全相同于该第一部位与该第二部位。15.如申请专利范围第14项所述的电子元件,其中该保护体的该第三部位包含至少两部份,各由不同材料构成,并且各接触该第一部位与该第二部位的不同部份。16.如申请专利范围第14项所述的电子元件,其中该保护体的该第三部位包含至少两部份,各由不同材料构成,其一者覆盖该第一部位与该第二部位,而被其另一者所覆盖。17.如申请专利范围第1项所述的电子元件,其温度变化所引起的体形翘曲系起因于其中各部位热膨胀系数之不同。18.如申请专利范围第1项所述的电子元件,其温度变化所引起的体形翘曲系起因于该积体电路与该保护体的热膨胀系数之不同。19.如申请专利范围第1项所述的电子元件,其温度变化所引起的体形翘曲系起因于该载具与该保护体的热膨胀系数之不同。20.如申请专利范围第1项所述的电子元件,其温度变化所引起的体形翘曲系起因于该载具与该积体电路的热膨胀系数之不同。21.如申请专利范围第1项所述的电子元件,其中该保护体包含一种铸模灌酯所形成的部位。22.如申请专利范围第1项所述的电子元件,其中该保护体包含一种封胶所形成的部位。23.如申请专利范围第1项所述的电子元件,其中该保护体包含高分子材料所形成的部位。24.如申请专利范围第1项所述的电子元件,其中该保护体包含一种金属材料所形成的部位。25.如申请专利范围第1项所述的电子元件,其中该载具包含至少一连接部位,用以连接该积体电路,该保护体覆盖该积体电路以及该连接部位,以便密封该积体电路以及该连接部位。26.如申请专利范围第1项所述的电子元件,其中该载具包含至少一电连接装置,用以电连接该积体电路,该保护体覆盖该积体电路以及该电连接装置,以便密封该积体电路以及该电连接装置。27.一种电子元件,其包含:一物件,该物件包含至少一积体电路;以及一保护体,该保护体至少覆盖该物件的一部份,该保护体包含至少一第一部位与一第二部位,该第一部位与该第二部位分别由不同材料构成,以降低温度变化所引起的体形翘曲。28.如申请专利范围第27项所述的电子元件,其中该物件系由该积体电路与一种载具一体成形者。图式简单说明:图1所示者为PBGA(塑封球栅阵列)电子元件基本结构的立体爆炸图;图2示出者为本案发明之一种实施例;图3a示出者为本案发明之另一种实施例;图3b示出者为本案发明之再一种实施例;图3c示出者为本案发明之又一种实施例;图3d示出者为本案发明之又另一种实施例;图4示出本发明利用商用有限元素套装软体ANSYS,建立真实尺寸35x35mm PBGA构装体之3D模型;图5示出本发明利用有限元素法分析,在材料参数如表一所示的条件下,升温120℃后,测验PBGA(塑封球栅阵列)电子构装体所产生的翘曲变化量;图6示出本发明图2所示实施例中,第三层封装为HYSOL FP4650,而材料参数如表二所示的条件下,升温120℃后,构装体所产生的翘曲变化量;