Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements unter Ausbildung einer wasserstoffhaltigen Silicium enthaltenden Schicht auf einem aus Silicium bestehenden oder dieses enthaltenden Substrat wie Scheibe oder Folie. Um eine gute Oberflächen- und Volumenpassivierung zu erzielen, wird vorgeschlagen, dass beim Ausbilden der Silicium enthaltenden Schicht in Form von SiN¶x¶O¶y¶ mit 0 x 1,5 und 0 y 2 gezielt in dieser ein oder mehrere katalytisch wirkende Dotierstoffe eingelagert werden, die aus der SiN¶x¶O¶y¶-Schicht Wasserstoff freisetzen.