| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Photodiodenkontaktierung für einen TFA-Bildsensor mit einer Photodiode durch Abscheiden einer Mehrschichtanordnung und einer transparenten leitfähigen Kontaktschicht (13) auf einem ASIC-Schaltkreis, der mit einem Zwischenmetall-Dielektrikum beschichtet worden ist und der in einem photoaktiven Bereich (2) Vias (7) im Pixelraster aufweist, die sich durch das Zwischenmetall-Dielektrikum (5) erstrecken und jeweils mit einer Leiterbahn (8) des CMOS-ASIC-Schaltkreises verbunden sind, wobei auf dem Zwischenmetall-Dielektrikum (5) eine im Pixelraster strukturierte Barriereschicht (6) und auf dieser eine CMOS-Metallisierung (3) angeordnet ist. Durch die Erfindung soll mit einfachen technologischen Mitteln eine Verbesserung der Kenngrössen der Photodiode erreicht werden. Erreicht wird dies dadurch, dass mindestens die auf dem CMOS-ASIC-Schaltkreis (1) befindliche CMOS-Metallisierung (3) im Bereich des photoaktiven Bereiches bis auf die strukturierte Barriereschicht (6) entfernt und dass anschliessend die Mehrschichtanordnung der Photodiode (12) sowie die leitfähige transparente Kontaktschicht (13) auf dem CMOS-ASIC-Schaltkreis (1) aufgebracht wird.</p> |
