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<p>Zum Zwecke des Abscheidens von III-V Halbleiterschichten, die auch Stickstoff enthalten, insbesondere zum Abscheiden von II-IV-Verbindungen, Oxiden, insbesondere Metall-Oxiden, wird vorgeschlagen, dass die Stirnseite des Gaseinlassorganes und der Stirnseite unmittelbar gegenüber liegende Bereich des Substrathalters Elektroden ausbilden, die zur Erzeugung eines kapazitiven Plasmas an einen Hochfrequenzreaktor anschliessbar bzw. angeschlossen sind.</p> |
