发明名称 电荷泵及使用其的压倍器
摘要 一种电荷泵及使用其的压倍器,其通过串接由低压制造工艺所制作的P型与N型金属氧化物半导体来解决电路中所遭遇的高电压差问题。因此,电荷泵将可在避免栅极源极、栅极-基极与栅极-漏极间出现过高电压差的情况下提供外界更高的电压。
申请公布号 CN1416210A 申请公布日期 2003.05.07
申请号 CN02157151.1 申请日期 2002.12.17
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 颜敬贤
分类号 H02M3/07 主分类号 H02M3/07
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 王志森;黄小临
主权项 1.一种电荷泵,包括:一电压源,提供一输入电压;一信号源,提供一操作时钟信号和与该操作时钟信号反相的一反操作时钟信号;一第一电容,具有第一电容端与第二电容端,该第一电容的第一电容端接收该操作时钟信号,该第一电容的第二电容端输出一第一输出电压;一第二电容,具有第一电容端与第二电容端,该第二电容的第一电容端接收该反操作时钟信号,该第二电容的第二电容端输出一第二输出电压;一第一P型金属氧化物半导体,具有基极、栅极与第一、第二源极/漏极,该第一P型金属氧化物半导体的第一源极/漏极电连接到该第一电容的第二电容端与该第一P型金属氧化物半导体的基极,且该第一P型金属氧化物半导体的第二源极/漏极电连接到该电压源;一第二P型金属氧化物半导体,具有基极、栅极与第一、第二源极/漏极,该第二P型金属氧化物半导体的第一源极/漏极电连接到该第一电容的第二电容端与该第二P型金属氧化物半导体的基极,该第二P型金属氧化物半导体的第二源极/漏极电连接到该第一P型金属氧化物半导体的栅极,且该第二P型金属氧化物半导体的栅极电连接到该电压源;一第三P型金属氧化物半导体,具有基极、栅极与第一、第二源极/漏极,该第三P型金属氧化物半导体的第一源极/漏极电连接到该第二电容的第二电容端与该第三P型金属氧化物半导体的基极,且该第三P型金属氧化物半导体的第二源极/漏极电连接到该电压源;一第四P型金属氧化物半导体,具有基极、栅极与第一、第二源极/漏极,该第四P型金属氧化物半导体的第一源极/漏极电连接到该第二电容的第二电容端与该第四P型金属氧化物半导体的基极,该第四P型金属氧化物半导体的第二源极/漏极电连接到该第三P型金属氧化物半导体的栅极,且该第四P型金属氧化物半导体的栅极电连接到该电压源;一第一N型金属氧化物半导体,具有基极、栅极与第一、第二源极/漏极,该第一N型金属氧化物半导体的栅极电连接到该电压源,该第一N型金属氧化物半导体的第二源极/漏极电连接到该第一P型金属氧化物半导体的栅极,且该第一N型金属氧化物半导体的基极接地;一第二N型金属氧化物半导体,具有基极、栅极与第一、第二源极/漏极,该第二N型金属氧化物半导体的第一源极/漏极与该第二N型金属氧化物半导体的基极接地,该第二N型金属氧化物半导体的第二源极/漏极电性耦接该第一N型金属氧化物半导体的第一源极/漏极,且该第二N型金属氧化物半导体的栅极接收该反操作时钟信号;一第三N型金属氧化物半导体,具有基极、栅极与第一、第二源极/漏极,该第三N型金属氧化物半导体的栅极电连接到该电压源,该第三N型金属氧化物半导体的第二源极/漏极电连接到该第三P型金属氧化物半导体的栅极,且该第三N型金属氧化物半导体的基极接地;以及一第四N型金属氧化物半导体,具有基极、栅极与第一、第二源极/漏极,该第四N型金属氧化物半导体的第一源极/漏极与该第四N型金属氧化物半导体的基极接地,该第四N型金属氧化物半导体的第二源极/漏极电性耦接该第三N型金属氧化物半导体的第一源极/漏极,且该第四N型金属氧化物半导体的栅极接收该操作时钟信号。
地址 台湾省台北县新店市
您可能感兴趣的专利