发明名称 发光二极管及其制造方法
摘要 本发明是采用一种不吸光的透明黏接层,来黏结具有吸光基板(Absorption Substrate,AS)的发光二极管磊芯片及透明基板(Transparent Substrate,TS)。接着将吸光的基板除去,形成具有透明基板的发光二极管;由于采用透明基板不会吸光,因此可大幅提高发光二极管的发光效率;同时由信道连接欧姆接点与钉线电极层,在固定电流下可降低电压及提高电流分布,以提升发光二极管的发光效益。
申请公布号 CN1416181A 申请公布日期 2003.05.07
申请号 CN01131400.1 申请日期 2001.10.31
申请人 国联光电科技股份有限公司 发明人 林锦源;杨光能
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汤保平
主权项 1、一种发光二极管,其特征在于,包含:一多层磷化铝镓铟磊晶层结构,该磊晶层结构包含一上包覆层,一活性层,以及一下包覆层;一欧姆接点磊晶层形成于该上包覆层上;一第一欧姆接点金属电极层形成于该第一欧姆接点磊晶层上;一透明黏接层;一透明基板以该透明黏接层黏合于该第一欧姆接点金属电极层上;一第二欧姆接点金属电极层形成于该下包覆层上;一第一金属钉线电极层形成于该第一欧姆接点磊晶层上;一第二金属钉线电极层形成于该第二欧姆接点金属电极层上;以及一电极信道,用以电气连接该第一金属钉线电极层与该第一欧姆接点金属电极层;其中,相对于该透明基板,该第一金属钉线电极层与该第二金属钉线电极层是位于同一侧。
地址 台湾省新竹