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发明名称 PROCESS FOR PHOTORESIST DESCUMMING AND STRIPPING IN SEMICONDUCTOR APPLICATIONS BY NH3 PLASMA
摘要
申请公布号 EP1307902(A2) 申请公布日期 2003.05.07
申请号 EP20010957357 申请日期 2001.07.31
申请人 APPLIED MATERIALS, INC. 发明人 HSIEH, CHANG, LIN;CHEN, HUI;YUAN, JIE;YE, YAN
分类号 G03F7/40;G03F7/42;H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/311;(IPC1-7):H01L21/027;B08B7/00 主分类号 G03F7/40
代理机构 代理人
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